氫傳感器技術(shù)

英國女王貝爾法斯特大學(xué)(QUB)研制的這項(xiàng)新設(shè)備目前在位于謝菲爾德的EPSRC國家III-V實(shí)驗(yàn)室制造。基本器件是將一個(gè)很薄的Pd條（長(zhǎng)度〜160μm，寬度〜4μm且厚度<10nm）沉積在一個(gè)n-InP襯底上。該設(shè)備可以被定制用于〜10秒時(shí)間尺度、氫水平〜1％的檢測(cè)。該器件在標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體加工設(shè)備采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)制造，因此低成本是其突出特點(diǎn)。即使在非常溫和的光刻分辨率下（例如線寬度為4μm），也可生成非常有效的設(shè)備。

技術(shù)成熟度：實(shí)驗(yàn)室成果

外方提議合作方式：合作研究或技術(shù)許可的方式合作。